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Datasheet下载- 型号： PVR100AZ-B3V3,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PVR100AZ-B3V3,115产品简介：
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PVR100AZ-B3V3,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 NPN 型双极结型晶体管（BJT），专为高压、高可靠性应用设计。其典型击穿电压 VCEO 高达 100 V，连续集电极电流 IC 达 1 A，具备良好的开关特性和饱和压降（VCE(sat) 低至约 0.25 V @ IC=500 mA），并采用小型表面贴装封装（SOT-223），适合紧凑型设计。 该器件主要应用于中功率开关与线性调节场景，常见于： • 工业控制模块中的继电器/电磁阀驱动电路； • 智能家居与楼宇自动化系统中的直流负载（如LED灯组、小电机、蜂鸣器）开关控制； • 电源管理单元（PMU）中的次级侧稳压或过流保护开关； • 汽车电子中的车身控制模块（BCM）非安全相关负载驱动（如车窗升降、座椅调节等，符合AEC-Q101基础可靠性要求，但需确认具体批次认证状态）； • 通信设备（如基站辅助电源、PoE供电接口）中的DC-DC转换器初级侧开关或负载切换。 需注意：该型号非车规级（AEC-Q101未明确标注于官方数据手册），不适用于ASIL-B及以上功能安全关键系统；实际应用中建议配合限流电阻与续流二极管（驱动感性负载时），并确保PCB散热设计满足功耗要求（PD ≈ 1.4 W，需合理敷铜）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC REG VOLT 3.3V SOT223 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PVR100AZ-B3V3,115 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 100mA，1V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-7473-6 |
| 功率-最大值 | 550mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 晶体管类型 | NPN + 齐纳 |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | - |
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