ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD48,125
Datasheet下载- 型号： PUMD48,125
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD48,125由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD48,125价格参考。NXP SemiconductorsPUMD48,125封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD48,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD48,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD48,125 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10 kΩ，R₂=10 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）GPIO端口与LED、继电器、小功率MOSFET栅极等负载之间的信号缓冲与驱动，简化电路设计并提升开关可靠性。 - LED指示灯/段码驱动：适用于消费电子、工业面板、家电控制板中多路LED的恒流开关控制，预偏置结构确保饱和导通稳定，降低MCU负载。 - 低功耗开关应用：在电池供电设备（如IoT传感器节点、遥控器、可穿戴设备）中用作信号选通、电源使能（EN）或复位信号调理，静态电流低（ICE≈nA级关断漏电），支持节能设计。 - 电平移位与反相器阵列：利用其单输入双输出特性，可构建紧凑的双路反相/非反相开关电路，适用于通信模块（如UART、I²C）的上拉/驱动增强。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，具备高ESD防护（HBM >8kV）、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）及AEC-Q101车规兼容性，亦见于汽车电子中的车身控制模块（BCM）辅助开关功能。注意：不适用于线性放大或高频射频场景，最大fT约100 MHz，推荐工作频率≤10 MHz。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMD48,125 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V / 100 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934055444125 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k，2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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