| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS60VP1UTP,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS60VP1UTP,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS60VP1UTP,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PTVS60VP1UTP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTVS60VP1UTP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS60VP1UTP,115 是 Nexperia 推出的一款单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,采用SOD123W小型表面贴装封装,具有60V反向关断电压(Vrwm)、67.8V击穿电压(Vbr)和高达100A(8/20μs)的峰值脉冲电流(Ipp),钳位电压约96.8V(Ipp=100A时)。 其主要应用场景包括: - 汽车电子系统保护:符合AEC-Q101标准,适用于车载信息娱乐系统、CAN/LIN总线接口、传感器模块及车身控制单元(BCM)等,抵御ISO 16750-2规定的抛负载(Load Dump)及开关瞬态过压(如感性负载关断产生的尖峰)。 - 工业与电源接口防护:用于DC-DC转换器输入端、电池供电设备(如电动工具、POS机)的电源入口,吸收ESD(±30kV接触放电)、EFT(电气快速瞬变)及雷击感应浪涌。 - 通信与IoT设备:保护RS-485、CAN FD等差分总线接口免受静电及浪涌干扰,尤其适合空间受限的紧凑型设计(SOD123W封装仅2.7×1.7×1.2mm)。 该器件响应速度快(<1ns),低钳位比(Vc/Vbr≈1.43),能有效限制瞬态电压在安全范围内,保障后级MCU、收发器等敏感IC的可靠性。广泛应用于需高鲁棒性、小尺寸及车规级认证的中高压(~60V系统)瞬态防护场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 60VWM FLATPOWERTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 High-temp 600W Transient Vltg Supp |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS60VP1UTP,115- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS60VP1UTP,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-128 |
| 其它名称 | 568-10899-6 |
| 击穿电压 | 70.2 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-128 |
| 封装/箱体 | SOD-128 |
| 尺寸 | 2.7 mm W x 4 mm L x 1.1 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 6.2 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 185°C (TA) |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 185 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Bidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 66.7V |
| 电压-反向关态(典型值) | 60V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 96.8V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 6.2A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 钳位电压 | 96.8 V |