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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS58VS1UR,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS58VS1UR,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS58VS1UR,115封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载PTVS58VS1UR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTVS58VS1UR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS58VS1UR,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,专为高可靠性瞬态过压保护设计。其击穿电压典型值为58V,峰值脉冲功率达400W(10/1000μs波形),适用于严苛电磁环境下的电路防护。 主要应用场景包括: - 汽车电子系统:如车载信息娱乐(IVI)、仪表盘、ADAS传感器模块等,符合AEC-Q101认证,可抵御ISO 7637-2标准规定的抛负载(Load Dump)及开关瞬态(如感性负载关断产生的高压尖峰); - 工业控制接口:保护CAN总线、LIN总线、RS-485等通信线路免受ESD(±30kV接触放电)、EFT(电气快速瞬变)及雷击感应浪涌影响; - 电源输入端口:用于DC-DC转换器、车载充电模块或12V/24V电源轨的前端保护,钳位异常电压至安全水平,防止后级MCU、电源管理IC损坏; - 消费类设备供电接口:如高端行车记录仪、OBD-II诊断设备等需满足车规级可靠性的便携式产品。 该器件采用SOD-123超小型表面贴装封装,响应时间小于1ns,低钳位电压与高浪涌耐受能力兼顾,特别适合空间受限且对EMC性能要求严格的嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 58VWM 93.6VC SOD123WTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS UNI-DIR 58V 400W |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS58VS1UR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS58VS1UR,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD123W |
| 其它名称 | 568-6784-6 |
| 击穿电压 | 67.8 V |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123W |
| 尺寸 | 1.9 mm W x 2.8 mm L x 1.1 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 4.3 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 400 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TA) |
| 工作电压 | 58 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 64.4V |
| 电压-反向关态(典型值) | 58V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 93.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 4.3A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxS1UR |
| 钳位电压 | 93.6 V |