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- 型号： PTVS58VP1UTP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS58VP1UTP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS58VP1UTP,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS58VP1UTP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTVS58VP1UTP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTVS58VP1UTP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PTVS58VP1UTP,115 是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，属于高性能的ESD保护器件。该器件主要用于保护敏感电子元件免受瞬态过电压（如静电放电、电感负载切换和雷击感应等）的损害。 其典型应用场景包括： 1. 通信接口保护：广泛应用于USB、HDMI、以太网、RS-485等高速数据接口中，防止ESD和浪涌对通信芯片造成损坏，确保信号完整性与系统可靠性。 2. 消费类电子产品：用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备中的电源和信号线路，提供高达30kV的ESD防护（IEC 61000-4-2标准），提升产品耐用性。 3. 工业控制系统：在PLC、传感器接口和工业通信总线中，抵御恶劣电磁环境下的瞬态干扰，保障设备稳定运行。 4. 汽车电子：适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器和车内网络（如CAN、LIN总线）的端口保护，满足AEC-Q101车规认证要求，具备高可靠性和温度稳定性。 PTVS58VP1UTP,115采用小型化SOD882封装，具有低钳位电压、快速响应时间和低电容特性（典型值0.45pF），适合高密度PCB布局和高频信号线路保护。其单向击穿特性适用于直流电源线保护，额定功率为500W（8/20μs浪涌），工作温度范围为-55°C至+150°C，适应严苛环境需求。 综上，该TVS二极管是现代电子系统中实现高效、紧凑型电路保护的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 58VWM FLATPOWERTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 High-temp 600W Transient Vltg Supp |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS58VP1UTP,115- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS58VP1UTP,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-128 |
| 其它名称 | 568-10895-1 |
| 击穿电压 | 67.8 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-128 |
| 封装/箱体 | SOD-128 |
| 尺寸 | 2.7 mm W x 4 mm L x 1.1 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 6.4 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 185°C （TA） |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 185 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Bidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 64.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 58V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 93.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 6.4A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 钳位电压 | 93.6 V |
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