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Datasheet下载- 型号： PTVS51VS1UR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PTVS51VS1UR,115产品简介：
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PTVS51VS1UR,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为51V，峰值脉冲功率达400W（10/1000μs波形），具有低钳位电压、快速响应（<1ns）及高ESD耐受能力（IEC 61000-4-2 Level 4：±30kV接触放电）。 典型应用场景包括： - 汽车电子系统：用于车载信息娱乐（IVI）、仪表盘、CAN/LIN总线接口等对可靠性要求严苛的部位，防护负载突降（load dump）或感性开关引起的瞬态尖峰； - 工业控制接口：保护RS-485、CAN、GPIO等通信端口免受雷击感应浪涌或电源耦合干扰； - 电源输入端防护：在DC-DC转换器或LDO前端，抑制因热插拔、反接或开关噪声引发的瞬态过压； - 消费类设备接口：如USB、HDMI、天线接口等易受ESD侵扰的信号线，提供板级一级防护（Primary Protection）。 该器件采用SOD123超小型封装，适合空间受限的PCB布局，并具备AEC-Q101车规认证，适用于-40°C至+150°C宽温工作环境，兼顾高可靠性与成本效益。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 51VWM 82.4VC SOD123W |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PTVS51VS1UR,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SOD123W |
| 其它名称 | 568-7462-6 |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 56.7V |
| 电压-反向关态（典型值） | 51V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 82.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 4.9A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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