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- 型号： PTVS30VS1UR115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS30VS1UR115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS30VS1UR115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS30VS1UR115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTVS30VS1UR115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTVS30VS1UR115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS30VS1UR115 是 Nexperia 推出的一款瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），虽常被归类在“专用IC”相关目录下（因功能高度专用且集成化封装），但严格而言属于分立半导体保护器件，非传统意义的集成电路（IC）。 其核心参数：单向TVS、击穿电压约30V（VBR）、峰值脉冲功率600W（10/1000μs波形）、低钳位电压（IPP=10A时典型Vc≈48.4V），采用小型SOD-123W封装，具备快速响应（<1ps）、低漏电流和高可靠性。 典型应用场景包括： - 汽车电子系统：用于车载信息娱乐（IVI）、CAN/LIN总线接口、车身控制模块（BCM）等，防护ISO 7637-2/ISO 16750-2标准规定的抛负载（Load Dump）及开关瞬态过压； - 工业控制接口：保护RS-485/RS-232通信端口、PLC I/O通道免受ESD（±30kV接触放电）、EFT（群脉冲）及雷击感应浪涌； - 电源输入级防护：在12V/24V直流供电设备（如摄像头、传感器节点）前端，抑制反向电压、感性负载关断尖峰及电源线耦合干扰； - 消费类设备外围接口：USB电源线、DC Jack等易受插拔瞬变影响部位的二级过压保护（常与保险丝或PTC配合使用）。 需注意：该器件为单向TVS，仅适用于直流正向供电且有明确参考地的应用；若用于交流或双向信号线，需选用双向型号。设计中应确保PCB布局短而宽，接地路径低感，以发挥最佳钳位性能。
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