Datasheet下载- 型号： PTVS10VS1UR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PTVS10VS1UR,115产品简介：
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PTVS10VS1UR,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为10V，最大钳位电压约17V（在8A峰值脉冲电流下），具备IEC 61000-4-2 Level 4（±30kV接触放电）的超强ESD防护能力。 典型应用场景包括： - USB接口保护：用于Type-A/Type-B或Micro-USB数据线（D+/D−）及电源线（VBUS），防止插拔、热插拔或人体静电引入的瞬变冲击； - HDMI、DisplayPort等高速数字接口：保护信号线免受ESD损伤，兼顾低电容（典型0.8pF），确保信号完整性； - 汽车电子模块：适用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘、摄像头模组等低压供电（如12V系统）中的电源与信号端口保护； - 工业控制与通信设备：如RS-485、CAN总线收发器前端、传感器接口等，抵御浪涌和雷击感应干扰； - 便携式消费电子：智能手机、平板电脑、TWS耳机等内部精密IC（如PMIC、Codec、MCU I/O）的板级ESD防护。 该器件采用超小型SOD123W封装，贴片安装，响应时间小于1ns，低漏电流（<1μA @ VR），兼具高可靠性与设计紧凑性，广泛适用于对尺寸、防护等级和信号保真度均有较高要求的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 10VWM 17VC SOD123WTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS DIODE PROTECT Diode |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS10VS1UR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS10VS1UR,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD123W |
| 其它名称 | 568-6800-2 |
| 击穿电压 | 11.7 V |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123W |
| 尺寸 | 1.9 mm W x 2.8 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 23.5 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 400 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 工作电压 | 10 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 11.1V |
| 电压-反向关态（典型值） | 10V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 17V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 23.5A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxS1UR |
| 钳位电压 | 17 V |
