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  • 型号: PTVS8V0S1UR,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PTVS8V0S1UR,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS8V0S1UR,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS8V0S1UR,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS8V0S1UR,115封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载PTVS8V0S1UR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTVS8V0S1UR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PTVS8V0S1UR,115 是 Nexperia 推出的一款单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,采用SOD-123W小型表面贴装封装,具有低钳位电压、快速响应(ps级)和高浪涌功率(IEC 61000-4-5标准下可达600W,tp=8/20μs)等特点。其标称击穿电压为8.0V(典型值),工作关断电压(Vrwm)为6.8V,适用于低压直流电源线及信号线的静电放电(ESD)和瞬态过压防护。

典型应用场景包括:  
- USB接口保护(如USB 2.0数据线D+/D−,符合IEC 61000-4-2 ±20kV接触放电要求);  
- 便携式电子设备电源输入端(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备的5V/3.3V供电轨),防止充电器插拔、热插拔或雷击感应引起的浪涌;  
- 工业控制I/O端口(如RS-485、CAN总线收发器前端),提供±30kV ESD防护与瞬态抑制;  
- 汽车电子低压系统(符合AEC-Q200认证,适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中非CAN-FD类12V以下信号/电源线);  
- 传感器接口电路(如I²C、SPI总线),保障MCU GPIO引脚免受ESD损伤。

其小尺寸(2.7×1.7×1.2mm)、低漏电流(<1μA @ 6.8V)和高可靠性,特别适合空间受限、功耗敏感且需通过严苛EMC测试的消费类与工业应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W

产品分类

TVS - 二极管

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PTVS8V0S1UR,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

SOD123W

其它名称

568-7468-2
934061344115
PTVS8V0S1UR,115-ND

功率-峰值脉冲

400W

包装

带卷 (TR)

单向通道

1

双向通道

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOD-123W

工作温度

-55°C ~ 150°C (TA)

应用

通用

标准包装

3,000

电压-击穿(最小值)

8.89V

电压-反向关态(典型值)

8V

电压-箝位(最大值)@Ipp

13.6V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

29.4A

电源线路保护

无

类型

齐纳

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