Datasheet下载- 型号： PSMN9R0-25YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN9R0-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN9R0-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN9R0-25YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN9R0-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN9R0-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN9R0-25YLC,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅9.0 mΩ @ Vgs=10V，11.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及优异热性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速模块，尤其适合空间受限的嵌入式控制系统； - 负载开关与电源管理：在FPGA、ASIC、微控制器等数字系统中用作高效、低损耗的板级电源开关或热插拔保护器件； - LED驱动与照明控制：支持高频率PWM调光，适用于智能照明、汽车内饰灯等中功率LED恒流驱动方案； - 电池供电设备：凭借低栅极电荷（Qg≈30 nC）和逻辑电平驱动能力（兼容3.3V/5V MCU直接驱动），适用于便携式医疗设备、IoT终端等对能效与集成度要求高的场景。 该器件通过AEC-Q101认证（注：需核实具体批次是否含车规版本），部分工业客户亦将其用于车载辅助系统（如座椅调节、风扇控制），但非主驱应用。其高可靠性、小尺寸与强鲁棒性使其成为中等电流（ID ≤ 40A pulsed）、中低压（Vds=25V）开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAKMOSFET N-chnl25V9.1m logic lvl MOSFET in LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 46 A |
| Id-连续漏极电流 | 46 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN9R0-25YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN9R0-25YLC,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 34 W |
| Pd-功率耗散 | 34 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 694pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-7592-1 |
| 功率-最大值 | 34W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 46A （Tmb） |
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