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  • 型号: PSMN9R0-25YLC,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN9R0-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN9R0-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN9R0-25YLC,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN9R0-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN9R0-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAKMOSFET N-chnl25V9.1m logic lvl MOSFET in LFPAK

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

46 A

Id-连续漏极电流

46 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN9R0-25YLC,115-

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产品型号

PSMN9R0-25YLC,115

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

34 W

Pd-功率耗散

34 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

9.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.6 V

上升时间

10 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.95V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

694pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.1 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-7592-1

功率-最大值

34W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK33-4

工具箱

/product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

46A (Tmb)

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