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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN5R0-100XS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R0-100XS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R0-100XS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R0-100XS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN5R0-100XS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN5R0-100XS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN5R0-100XS,127 是恩智浦（NXP）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅5.0 mΩ @ Vgs=10V，4.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=100A，脉冲可达360A）及优异热性能。 其主要应用场景包括： ✅ 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST拓扑，降低导通损耗，提升能效。 ✅ 电机驱动与负载开关：适用于BLDC电机控制器、电动工具、风扇/泵驱动等中高功率场合，支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU），简化栅极驱动设计。 ✅ 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：凭借低Rds(on)和快速开关特性，用于电池保护电路中的充放电主控开关或过流保护开关。 ✅ LED照明驱动与固态继电器（SSR）：在大电流LED恒流驱动或替代机械继电器的固态开关方案中，提供高可靠性与长寿命。 该器件具备100V耐压、雪崩额定能力（UIS）、符合AEC-Q101（部分批次），亦适用于严苛工况下的工业与汽车后装应用（如车载电源、ADAS辅助模块）。其LFPAK封装兼具小尺寸与优异散热性，适合紧凑型高功率密度设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN5R0-100XS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 153nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | 568-9760-5 |
| 功率-最大值 | 63.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 67.5A （Tc） |
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