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- 型号： PSMN4R3-80ES,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PSMN4R3-80ES,127产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R3-80ES,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PSMN4R3-80ES,127价格参考以及NXP SemiconductorsPSMN4R3-80ES,127封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PSMN4R3-80ES,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PSMN4R3-80ES,127详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN4R3-80ES,127 是恩智浦（NXP）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装。其关键参数包括：80V漏源电压（VDS）、典型导通电阻RDS(on)仅4.3mΩ（VGS=10V）、连续漏极电流高达120A（Tc=25°C），具备低开关损耗与高效率特性。 该器件主要应用于中高压、大电流、高可靠性要求的电源管理场景，典型用途包括： ✅ 服务器/通信电源：用于DC-DC转换器（如POL点负载模块）、同步整流电路，提升能效并减小散热设计压力； ✅ 工业电机驱动：在BLDC电机控制器或H桥驱动中作为功率开关，支持高频PWM调制与快速开关响应； ✅ LED照明驱动：适用于大功率恒流LED驱动电源中的主开关或调光MOSFET； ✅ 电池管理系统（BMS）：用作电池保护电路中的充放电主控开关，凭借低RDS(on)减少压降与发热； ✅ 车载辅助电源：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次认证，但该系列广泛用于汽车级应用），适用于车载DC-DC转换器、电子水泵/风扇控制等。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至1–2.5V，10V完全导通）便于与MCU、驱动IC直接连接，无需额外电平转换；LFPAK56封装兼具优异热性能与PCB贴装可靠性，适合紧凑型高功率密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN4R3-80ES,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8161pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 111nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-6708 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
