Datasheet下载- 型号： PSMN4R3-100PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R3-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R3-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R3-100PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN4R3-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R3-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN4R3-100PS,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其典型的应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：该器件适用于开关电源中的功率开关，能够高效地控制电压和电流的转换。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中用作主开关或同步整流器，提供低导通电阻（Rds(on) = 4.3 mΩ 典型值），从而减少功率损耗并提高效率。 - 负载开关：用于动态地接通或断开负载，确保设备在待机或关机状态下的低功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机，支持快速开关和高效运行。 - H 桥电路：在 H 桥配置中用作功率级元件，实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：用于锂离子电池或其他可充电电池组的过流、短路保护，通过快速切断电流来防止损坏。 - 电量监测：配合其他元件实现电池充放电的精确控制。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器、雨刷器等需要低功耗、高可靠性的应用场合。 - LED 照明驱动：为汽车内部或外部 LED 灯提供稳定的电流驱动。 5. 工业自动化 - 继电器替代方案：在需要频繁开关的工业控制系统中，用 MOSFET 替代传统机械继电器，提高响应速度和寿命。 - 传感器接口：作为信号放大或隔离元件，连接各种传感器与主控单元。 6. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器：在便携式设备的电源适配器中用作功率开关。 - USB-PD 控制：支持 USB Power Delivery 的快充功能，满足现代设备对高效充电的需求。 总结 PSMN4R3-100PS,127 凭借其低导通电阻、高电流承载能力和出色的热性能，广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域。它适合要求紧凑设计、低能耗以及高可靠性的各种应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABMOSFET N-Ch 100V 4.3 mo std level moSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R3-100PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R3-100PS,127 |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 170 nC |
| Qg-栅极电荷 | 170 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 91 ns |
| 下降时间 | 63 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-8595-5 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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