Datasheet下载- 型号： PSMN4R1-30YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R1-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R1-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R1-30YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN4R1-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R1-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN4R1-30YLC,115是一款30V、4.1mΩ（典型值）的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备低导通电阻、高效率和优异热性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流Buck/Boost转换器，提升能效并减小散热设计难度； - 负载开关与电源管理：适用于主板、笔记本电脑、网络设备中的高效负载切换、热插拔保护及电池供电系统的主/辅电源路径控制； - 电机驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥/半桥驱动模块（如风扇、泵、打印机执行机构），支持10V以下逻辑电平直接驱动（VGS(th)低至1.0–2.1V，兼容3.3V/5V MCU）； - LED照明驱动：用于智能LED恒流驱动电路中的PWM调光开关，实现快速响应与低功耗； - 汽车电子（符合AEC-Q101）：可用于车载信息娱乐系统、ADAS辅助电源、车灯控制等非安全关键类12V系统（需满足车规级可靠性要求）。 该器件凭借低Qg（典型9.5nC）、快速开关特性及LFPAK56封装的高功率密度，兼顾效率、尺寸与鲁棒性，适合对空间、温升和能效有严苛要求的中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 90A LFPAKMOSFET N-Ch 30V 4.35mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R1-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R1-30YLC,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 64 W |
| Pd-功率耗散 | 64 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.58 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.58 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1502pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.35 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6737-1 |
| 功率-最大值 | 67W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 92A （Tmb） |
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