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  • 型号: PSMN1R8-30PL,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R8-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R8-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R8-30PL,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN1R8-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R8-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN1R8-30PL,127 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有超低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 1.8 mΩ @ VGS = 10 V,2.4 mΩ @ 4.5 V)和高电流能力(ID 高达 120 A),适用于高效率、高功率密度的电源管理场景。

典型应用场景包括:  
✅ DC-DC 降压转换器(Buck Converter):作为同步整流开关,显著降低导通损耗,提升转换效率(尤其在服务器、通信电源等 12 V/48 V 输入系统中);  
✅ 电动工具与电池供电设备:支持 30 V 耐压,适配锂电组(如 10S 电池包),用于电机驱动H桥的上/下管或电子换向控制;  
✅ 工业电源与UPS系统:用作输入/输出侧的主开关或ORing FET,实现热插拔、冗余供电及反向电流保护;  
✅ LED 驱动与固态继电器(SSR):凭借快速开关特性(ton/toff 约数十纳秒)和低栅极电荷(Qg ≈ 65 nC),适用于高频调光与固态开关替代机械继电器;  
✅ 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(该型号为工业级,但同系列有车规版本),可用于车载充电模块、风扇控制、LED前照灯驱动等非安全关键应用。

其逻辑电平驱动特性(4.5 V 即可充分导通)兼容主流MCU/GPIO直接驱动,简化外围电路设计,降低系统成本与PCB面积。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V TO220ABMOSFET N-CHAN 30V 100A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R8-30PL,127-

数据手册

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产品型号

PSMN1R8-30PL,127

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

270 W

Pd-功率耗散

270 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10180pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

170nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.8 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-5234
568-5234-5
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127

功率-最大值

270W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tmb)

配置

Single

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