Datasheet下载- 型号： PSMN085-150K,518
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN085-150K,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN085-150K,518价格参考。NXP SemiconductorsPSMN085-150K,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN085-150K,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN085-150K,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN085-150K,518 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-263（D²PAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 8.5 mΩ @ Vgs=10 V，12 mΩ @ Vgs=4.5 V）、高电流能力（ID=75 A）及良好热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流 Buck/Boost 转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、风扇驱动及电动工具的H桥/半桥功率级； - 负载开关与电源管理：在主板、嵌入式系统中作为高效、快速响应的主电源开关或热插拔保护器件； - LED 驱动与照明系统：用于高亮度 LED 恒流驱动电路的 PWM 开关元件； - 电池管理系统（BMS）：在电池充放电路径控制、反向电流保护等环节提供低损耗通路。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容 3.3 V/5 V MCU），具备雪崩耐量和过温保护兼容性，适合高可靠性、中高功率密度的设计需求。注意实际应用中需合理设计栅极驱动、PCB 散热及布局以发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 3.5A SOT96-1 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN085-150K,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 934056596518 |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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