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产品简介:
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PSMN035-150B,118 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 3.5 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 120 A)及优异的开关性能。其主要应用场景包括: - 高效DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、BUCK/BOOST拓扑主开关管,提升能效并降低温升; - 电机驱动:适用于中小功率BLDC电机控制器(如风扇、泵、电动工具)的H桥或半桥驱动,支持高频PWM控制与快速关断; - 负载开关与电源管理:在嵌入式系统、工控板卡中作为热插拔保护、电源轨切换或电池供电系统的主控开关; - LED照明驱动:用于高亮度LED恒流驱动电路中的调光开关或过流保护路径; - 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:该型号为工业级,非车规版;实际车用需确认具体批次认证),可用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗驱动等非安全关键应用。 其逻辑电平特性(VGS(th) ≈ 1.0–2.0 V)便于直接由MCU(如3.3 V/5 V GPIO)驱动,简化外围电路设计;LFPAK56封装兼具低热阻与高可靠性,适合紧凑型高功率密度布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PSMN035-150B,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4720pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 79nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5951-6 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |