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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN023-80LS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN023-80LS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN023-80LS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN023-80LS,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN023-80LS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN023-80LS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN023-80LS,115 是恩智浦（NXP）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装。其主要参数包括：VDS = 80 V、RDS(on) 典型值仅2.3 mΩ（VGS = 10 V）、连续漏极电流ID 高达75 A（Tc = 25°C），具备低导通损耗与优异热性能。 该器件典型应用场景包括： ✅ 高效DC-DC电源转换：如服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）电源模块，利用其低RDS(on)提升转换效率； ✅ 电机驱动电路：适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥/半桥驱动，支持逻辑电平（3.3 V/5 V）直接驱动，简化栅极驱动设计； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池保护板中的充放电主回路开关或均衡开关，耐压与电流能力满足12–48 V电池组需求； ✅ LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动或调光开关中作为功率开关，响应快、温升低； ✅ 工业控制与电源模块：如PLC输出级、固态继电器（SSR）、电子保险丝等需高可靠性、低功耗开关的场合。 其LFPAK56封装兼具SO-8引脚兼容性与优异散热能力，适合紧凑型PCB布局，并通过AEC-Q101认证（部分批次），亦可用于汽车电子辅助系统（如车灯控制、车载电源）。 注：实际应用中需配合合理PCB铜箔散热设计及栅极驱动保护（如限流、防振荡），以充分发挥其性能与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH QFN3333 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN023-80LS,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1295pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-DFN3333（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 568-5583-6 |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 34A （Tc） |
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