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产品简介:
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PN200RM 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款通用NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23表面贴装封装,具有小体积、低成本、高可靠性等特点。其典型参数包括:最大集电极电流IC = 200 mA,最大集电极-发射极电压VCEO = 40 V,直流电流增益hFE(典型值)为100–300(IC = 10 mA, VCE = 1 V),开关速度较快(上升/下降时间约数十纳秒)。 主要应用场景包括: 1. 低功率开关电路:如LED驱动、小型继电器/蜂鸣器控制、电源使能(EN)信号切换等; 2. 信号放大与电平转换:在微控制器(如STM32、ESP32)I/O口驱动能力不足时,用作缓冲级或逻辑电平适配(如3.3 V MCU控制5 V负载); 3. 消费类电子中的基础模拟功能:如电池供电设备中的简单振荡器、传感器信号预处理、按键消抖电路等; 4. 工业与家电控制板:作为隔离式输入接口或风扇/电机的简易PWM驱动开关(适用于小电流直流电机)。 因其SOT-23封装便于自动化贴片生产,且具备良好的热稳定性与ESD防护(HBM > 4 kV),广泛用于空间受限、成本敏感的中低速数字/模拟混合应用中。不适用于高频射频、大功率放大或精密线性放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR GP PNP 45V TO-92 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PN200RM |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 20mA,200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,1V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 50nA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |