Datasheet下载- 型号： PMXB350UPEZ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMXB350UPEZ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMXB350UPEZ价格参考。NXP SemiconductorsPMXB350UPEZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMXB350UPEZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMXB350UPEZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PMXB350UPEZ是一款P沟道增强型Trench MOSFET，采用超小型DFN1006-3（0.6×1.0 mm）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅85 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg = 0.9 nC）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或反向电流阻断，得益于其小尺寸与低功耗； 2. LED驱动与背光控制：用于OLED/LCD屏幕的阴极侧调光开关，实现高效、低噪声的PWM调光； 3. USB Type-C接口保护：在PD协议电路中作VBUS放电开关或过压/反接保护的后级控制器件； 4. IoT传感器节点与可穿戴设备：作为低功耗微控制器（如ARM Cortex-M0+）GPIO驱动的高边/低边开关，控制外围模块启停以延长电池寿命； 5. DC-DC转换器同步整流辅助开关：在微型降压（Buck）电路中配合主MOSFET实现高效续流路径控制（需注意其P沟道特性适合作为高边开关或低边反向阻断）。 该器件额定电压–20 V、连续漏极电流–1.7 A（Ta=25℃），支持–55℃~150℃工作温度，符合AEC-Q101车载标准（部分批次），亦适用于工业与消费类严苛环境。其无铅、符合RoHS且具备高ESD防护（HBM ±2000 V），适合自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMXB350UPEZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 116pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 447 毫欧 @ 1.2A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN （1.1x1） |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Ta） |
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