图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV77EN215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV77EN215价格参考。NXP SemiconductorsPMV77EN215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMV77EN215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMV77EN215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMV77EN215 是恩智浦(NXP)出品的一款P沟道增强型MOSFET,采用小型SOT-23封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约21.5 mΩ @ Vgs = –4.5 V)、低栅极电荷及快速开关特性。其额定电压为–20 V(Vds),连续漏极电流达–4.5 A(ID),适用于低压、中电流的电源管理场景。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备的负载开关——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的电池供电路径控制,实现低功耗启停与反向电流阻断; ✅ DC-DC转换器同步整流——在降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)电路中作为同步整流管,提升转换效率; ✅ USB端口/Type-C接口过流与反向保护——配合控制器实现热插拔保护与反向馈电抑制; ✅ LED驱动与背光控制——用于中小功率LED的PWM调光或使能控制; ✅ H桥驱动中的高边开关(需搭配电平移位电路)——适用于微型电机、振动马达等低压驱动。 该器件具备ESD防护(HBM ≥ 2 kV),适合空间受限、注重能效与可靠性的消费类和工业嵌入式系统。注意:使用时需确保栅源电压不超过±12 V,并合理设计PCB散热与驱动回路以保障稳定性。