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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMV170UN,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV170UN,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV170UN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV170UN,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMV170UN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMV170UN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMV170UN,215 是恩智浦（NXP）出品的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-23小型表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅85 mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈4.5 nC）和快速开关特性。其额定电压为30V，连续漏极电流达3.6A（Tc=25℃），适合低压、中等功率的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB接口过流保护； ✅ DC-DC转换器：作为同步整流MOSFET用于降压（Buck）转换器次级侧，提升转换效率； ✅ 电池供电系统：在锂电池供电的IoT传感器节点、无线模块（如BLE/Wi-Fi）中用作电池保护电路或电源路径管理（Power Path）开关； ✅ 电机与执行器控制：驱动微型直流电机、振动马达或电磁阀（需配合限流/续流设计）； ✅ 逻辑电平兼容接口：因支持2.5V–4.5V逻辑电平驱动，可直接由MCU（如ARM Cortex-M系列、ESP32）GPIO控制，无需额外驱动电路，简化设计。 其SOT-23封装节省PCB空间，热性能适中，适用于对尺寸和功耗敏感的消费类及工业嵌入式系统。注意实际使用时需合理布局散热焊盘并避免持续满载运行以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH SINGLE 20V TO-236AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMV170UN,215 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 83pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.65nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 165 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-10830-6 |
| 功率-最大值 | 325mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
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