Datasheet下载- 型号： PMT760EN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMT760EN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMT760EN,135价格参考。NXP SemiconductorsPMT760EN,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMT760EN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMT760EN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMT760EN,135 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用小型 SOT-666 封装（尺寸仅 2.0 × 2.1 mm），具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 48 mΩ @ VGS = 4.5 V，65 mΩ @ 2.5 V）、低栅极电荷（QG ≈ 3.4 nC）和高开关效率。其额定电压为 60 V，连续漏极电流达 3.5 A（Tamb = 25°C），适合中低压、中功率开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、LED 背光驱动或电池保护电路； ✅ DC-DC 转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率； ✅ 工业与家电中的低功耗控制：如继电器/电磁阀驱动、小电机（风扇、振动马达）H桥半桥驱动、USB Type-C 接口过流保护开关； ✅ IoT 传感器节点与可穿戴设备：得益于其逻辑电平兼容性（可直接由 1.8 V / 3.3 V MCU GPIO 驱动）、低静态功耗及小尺寸，适用于空间受限的电池供电系统。 该器件通过 AEC-Q101 认证（部分批次），亦可用于车规级要求不严苛的车载辅助设备（如座椅调节、氛围灯控制）。其无铅、符合 RoHS 的环保设计，满足现代电子产品的合规性要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V SC-73 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMT760EN,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 80V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 950 毫欧 @ 800mA， 10V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-10829-1 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Ta） |
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