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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMT760EN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMT760EN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMT760EN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMT760EN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMT760EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMT760EN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMT760EN,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.14 Ω @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.5 nC）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池保护电路或LED背光驱动，得益于其低功耗、小尺寸和逻辑电平兼容性（可直接由1.8V/3.3V MCU GPIO驱动）； - DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中作为高效整流开关，提升转换效率； - 工业与消费类低功率开关应用：如继电器替代、电机（小型直流风扇/振动马达）控制、传感器接口的信号切换等； - USB端口过流保护与热插拔控制：配合限流电路实现紧凑型USB供电管理。 该器件工作电压范围为 -0.3V 至 20V（Vds），连续漏极电流达 2.9A（Tc=25°C），具备ESD防护（HBM 2kV），适合空间受限、强调能效与可靠性的中低功率（<5W）开关场景。不适用于高电压、大电流或高频谐振拓扑等严苛工况。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V SC-73 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMT760EN,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 80V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 950 毫欧 @ 800mA， 10V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 934066918115 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Ta） |
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