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  • 型号: PMSTA92,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMSTA92,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMSTA92,115价格参考。NXP SemiconductorsPMSTA92,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 300V 100mA 50MHz 200mW 表面贴装 SC-70。您可以下载PMSTA92,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMSTA92,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMSTA92,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款通用型 PNP 高压双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装,具有高集电极-基极击穿电压(VCBO = −300 V)和较高电流增益(hFE 典型值 40–240 @ IC = 10 mA)。其主要应用场景包括:

1. 高压开关电路:适用于需耐受数百伏直流或脉冲电压的低频开关场合,如继电器驱动、LED/指示灯控制、小型电磁阀控制等。

2. 信号放大与电平转换:在工业控制、传感器接口及微控制器(如 MCU)输出级中,用于小信号反相放大或逻辑电平适配(例如将 3.3 V/5 V MCU 输出转换为更高电压驱动需求)。

3. 电源管理辅助电路:常用于线性稳压器、过压保护、基准电压偏置网络或高压侧检测电路中的电流镜、有源负载等分立模拟功能模块。

4. 消费电子与家电:应用于打印机、复印机、智能电表、白色家电(如空调、洗衣机)的内部高压控制板,承担隔离驱动或反馈回路中的信号调理任务。

该器件不适用于高频射频或大功率开关(如开关电源主拓扑),因其 fT 约 50 MHz,且最大集电极电流仅 −500 mA(连续),功耗受限(Ptot ≈ 250 mW)。其小型封装适合空间受限的便携式或高密度 PCB 设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 300V 500MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMSTA92,115-

数据手册

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产品型号

PMSTA92,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 2mA,20mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 30mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

934042290115
PMSTA92 T/R
PMSTA92 T/R-ND

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

50 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

300V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

40 at 1 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

40 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 30 at 30 mA at 10 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

300 V

集电极—基极电压VCBO

300 V

零件号别名

PMSTA92 T/R

频率-跃迁

50MHz

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