Datasheet下载- 型号： PMPB33XP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB33XP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB33XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB33XP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMPB33XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB33XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMPB33XP,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用小型无铅 SOT-23（SC-59）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 48 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.7 nC）和额定电压 –30 V / 3.8 A（连续漏极电流，Tc=25°C）。其主要应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，利用其低功耗与快速开关特性实现高效启停控制； - LED 驱动与背光控制：作为恒流源开关或 PWM 调光开关，驱动小功率 LED 或显示屏背光； - DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作同步整流管（尤其适用于低占空比、高效率要求的轻载场景）； - 工业与消费类接口保护：用于 USB、I²C 等总线的反向电流阻断（Reverse Current Blocking）及热插拔（Hot-swap）保护； - 电机驱动辅助电路：驱动微型直流电机（如振动马达）或作为 H 桥中的上/下桥臂开关（需配合逻辑电平兼容驱动）。 该器件支持 1.8 V 逻辑电平驱动（Vgs(th) 最大 –1.5 V），适合由低压 MCU 直接控制，且具备良好的 ESD 防护能力（HBM ±2 kV），适用于空间受限、能效敏感的紧凑型设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMPB33XP,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1575pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 5.5A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10445-2 |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Ta） |
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