ICGOO在线商城 > PMP5501V,115
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PMP5501V,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMP5501V,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMP5501V,115价格参考以及NXP SemiconductorsPMP5501V,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMP5501V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有PMP5501V,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PMP5501V,115是一款双极性晶体管(BJT)阵列,采用SOT666封装,内含两个独立的NPN晶体管(共发射极配置),具有低饱和电压(VCE(sat)典型值仅0.12 V @ IC = 100 mA)、高直流电流增益(hFE:120–475 @ IC = 50 mA)及良好热稳定性。其典型应用场景包括: - 小型信号开关与逻辑电平转换:适用于微控制器I/O口驱动LED、继电器、蜂鸣器或小功率MOSFET栅极,支持3.3 V/5 V系统兼容; - 电源管理辅助电路:用于负载开关控制、电源通断检测、电池供电设备中的使能/复位信号调理; - 接口保护与缓冲:在通信接口(如UART、I²C上拉驱动增强)中提供电流放大与电气隔离; - 工业与消费类嵌入式系统:如智能电表、传感器模块、家电控制板等对尺寸、功耗和可靠性要求较高的场合。 该器件具备AEC-Q101汽车级认证(部分批次),亦可用于车载信息娱乐系统或车身电子中的非安全关键信号处理。其双通道结构节省PCB面积,简化布局,适合空间受限的便携式及IoT终端设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 45V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT MATCHED PAIR TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMP5501V,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMP5501V,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7435-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双)配对 |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PMP5501V T/R |
| 频率-跃迁 | 175MHz |