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Datasheet下载- 型号： PMP4501Y,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMP4501Y,135产品简介：
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PMP4501Y,135 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-666 封装，内部集成两个独立的 NPN 晶体管（共发射极配置），具有匹配特性、低饱和电压（VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC=10 mA）和高直流电流增益（hFE 典型值 250–600），适用于低功耗、空间受限的信号切换与放大场景。 典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：如微控制器 GPIO 扩展，驱动 LED、小型继电器或蜂鸣器； 2. 电源管理中的负载开关：配合 MCU 控制外围模块（如传感器、无线模块）的供电通断，实现低静态功耗休眠管理； 3. 精密模拟信号处理前端：利用其良好匹配性，用于差分对、电流镜或简易电流源电路（需注意非完全匹配，适用于中等精度要求）； 4. 工业与消费类设备中的信号调理：如编码器信号整形、按钮去抖、光电耦合器后级驱动等。 该器件不适用于大功率开关或高频射频应用（fT约 100 MHz，属中频范围），亦非为高压设计（VCEO = 40 V）。其小尺寸、双通道集成优势显著降低了PCB面积与BOM成本，广泛见于便携式设备、智能传感器节点、家电控制板及IoT终端中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMP4501Y,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-7430-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双）配对 |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
