ICGOO在线商城 > PMP4501G,115
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PMP4501G,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMP4501G,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMP4501G,115价格参考以及NXP SemiconductorsPMP4501G,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMP4501G,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有PMP4501G,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PMP4501G,115是一款双极性晶体管(BJT)阵列,采用SOT-666封装,内含两个独立的NPN晶体管(共发射极配置),具有高增益(hFE典型值达250)、低饱和电压(VCE(sat)低至0.1V @ IC=10mA)和良好匹配特性。其典型应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与信号缓冲:在微控制器(如STM32、ESP32)I/O口驱动能力不足时,用作TTL/CMOS电平转换或GPIO扩展缓冲; 2. LED/小型负载驱动:驱动多路LED指示灯、蜂鸣器、继电器线圈(≤100mA负载)等中低功率外设; 3. 电源管理中的使能控制:在多路电源系统中,作为低压侧开关控制LDO或DC-DC转换器的EN引脚; 4. 传感器接口电路:配合光耦或霍尔传感器构成隔离式开关信号调理电路; 5. 消费电子与工业控制板卡:广泛应用于打印机、家电主控板、工业HMI模块等空间受限场景,得益于其小尺寸(2.2×2.2×0.95mm)及AEC-Q101车规级可靠性(该型号通过车规认证)。 该器件支持100mA连续集电极电流,结温范围-55℃~+150℃,具备ESD防护(>2kV HBM),适用于高密度、高可靠性要求的嵌入式系统。注意设计时需合理设置基极限流电阻,避免过驱动。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA 5TSSOP两极晶体管 - BJT MATCHED PAIR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMP4501G,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMP4501G,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 5-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6757-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 |
| 封装/箱体 | SOT-353 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双)配对,共发射极 |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PMP4501G T/R |
| 频率-跃迁 | 250MHz |