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PML340SN,118产品简介:
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PML340SN,118 是 Nexperia(安世半导体)推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用小型无引脚 SOT-23(SOT-23F)封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 45 mΩ @ Vgs = 4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 3.7 nC)和快速开关特性。 其典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备的电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 驱动或电池保护电路,得益于小尺寸、低功耗与逻辑电平驱动能力(兼容 3.3 V/5 V MCU GPIO 直接驱动)。 ✅ DC-DC 转换器次级侧同步整流:在升压/降压模块中用作高效续流开关,提升转换效率。 ✅ 电机控制与驱动:适用于微型直流电机(如振动马达、风扇)的 PWM 调速开关,支持高频(>100 kHz)开关操作。 ✅ 工业与消费类 I/O 扩展接口:作为继电器替代方案,用于 PLC 输入/输出缓冲、传感器信号切换或电平转换隔离。 该器件具备 AEC-Q101 认证(车规级),亦可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的非主驱场景(如车灯控制、USB 充电口电源开关)。 注意:不适用于高电压(>30 V)、大电流(持续 >1.5 A)或高温(Tj > 150°C)严苛环境,需配合合理 PCB 散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 220V 7.3A 8HVSONMOSFET TAPE13 TRENCH 30V G3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.3 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PML340SN,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PML340SN,118 |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 386 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 386 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 220 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 220 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11.8 ns |
| 下降时间 | 4.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 656pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 386 毫欧 @ 2.6A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-DFN3333(3.3x3.3) |
| 其它名称 | 568-9717-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 19.8 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | HVSON-8 |
| 工厂包装数量 | 1400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 220V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.3A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | /T3 PML340SN |