Datasheet下载- 型号： PMGD8000LN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD8000LN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD8000LN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMGD8000LN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMGD8000LN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMGD8000LN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMGD8000LN,115 是 NXP USA Inc. 推出的双通道 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET 阵列（采用 SOT-723 小型封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 340 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 背光驱动或传感器供电控制，得益于其超小尺寸与低功耗特性； - 电池供电系统保护与切换：用于 USB Type-C 接口的电源路径管理、电池充放电路径控制（如主/备电池切换）、反向电流阻断； - 逻辑电平接口转换与信号切换：在 1.8 V / 3.3 V 微控制器（如 ARM Cortex-M 系列）I/O 口驱动能力不足时，用作 GPIO 扩展驱动器，控制外部小功率负载（如蜂鸣器、指示灯、小型继电器）； - DC-DC 转换器辅助电路：在同步降压转换器中作为自举电路开关或使能控制开关； - 工业与消费类 IoT 模块：用于低功耗传感节点中的外设供电启停（如温湿度传感器、加速度计的按需上电），提升整机待机效率。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 最大 1.5 V），无需额外电平转换，且双 MOSFET 共源极结构便于实现高边/低边配置，适合空间受限、强调能效与集成度的嵌入式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMGD8000LN,115 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 18.5pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.35nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2370-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 125mA |
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