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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMFPB8040XP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMFPB8040XP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMFPB8040XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMFPB8040XP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMFPB8040XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMFPB8040XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMFPB8040XP,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-666封装（超小型表面贴装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 40 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.3 nC）和–20 V额定漏源电压（VDS），适合低压、中等电流开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低静态功耗与快速开关特性实现高效启停控制； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中作为同步整流管，提升转换效率（尤其在1–3 A负载范围内）； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小尺寸LCD/OLED屏幕的LED电流调节或区域调光开关； ✅ 接口保护与反向电流阻断：在USB Type-C、I²C等总线供电路径中提供反向电压保护（Reverse Voltage Protection）及热插拔保护； ✅ 工业与IoT传感器节点：在低功耗MCU系统中用作外设供电开关，支持按需唤醒与休眠，延长电池寿命。 其SOT-666封装（1.6 × 1.6 mm）特别适用于空间受限的高密度PCB设计，且具备良好热性能（RθJA ≈ 220°C/W）。需注意：该器件为P沟道，常用于高边开关（源极接输入电压），驱动时需确保栅极电压足够低于源极（如逻辑电平兼容，支持3.3 V/5 V驱动）。不适用于高压、大功率或高频射频场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6MOSFET 20V, SOT1118 MOSFET-SCHOTTKY |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道、 肖特基，金属氧化物! |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.7 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMFPB8040XP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMFPB8040XP,115 |
| Pd-PowerDissipation | 6250 mW |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| Qg-GateCharge | 5.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.6 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 102 毫欧 @ 2.7A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10789-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 485mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
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