Datasheet下载- 型号： PMF87EN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMF87EN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMF87EN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMF87EN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMF87EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMF87EN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMF87EN,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个），采用小型 SOT-323（SC-70）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 140 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.5 nC）及低阈值电压（VGS(th) ≈ −0.5 至 −1.2 V），适合低压、小电流开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关（Load Switch），用于控制外设供电通断，实现节能与系统保护； ✅ 电池供电系统的反向电流阻断：在单节锂电（2.5–5.5 V）供电路径中，利用其P沟道特性实现“理想二极管”功能，防止电池反向放电或充电回流； ✅ LED驱动与信号切换：驱动小功率LED指示灯、背光或I/O端口电平转换/隔离，响应快、功耗低； ✅ 逻辑电平兼容接口电路：支持1.8 V/3.3 V MCU GPIO直接驱动（因低VGS(th)），简化驱动设计，无需额外电平移位器； ✅ 空间受限的嵌入式模块：SOT-323封装尺寸仅2.0×2.1×0.9 mm，适用于高密度PCB布局，如IoT传感器节点、无线模组等。 注意：该器件额定VDS = −20 V，ID = −0.5 A（连续），不适用于大功率或高压场景，需配合限流/ESD防护设计以提升可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V SGL SOT323 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMF87EN,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 135pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 1.7A， 10V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-10787-2 |
| 功率-最大值 | 275mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
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