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  • 型号: PMEG3010EJ,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMEG3010EJ,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG3010EJ,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG3010EJ,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG3010EJ,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, Diode Schottky 30V 1A (DC) Surface Mount SOD-323F。您可以下载PMEG3010EJ,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG3010EJ,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMEG3010EJ,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款低压降肖特基势垒整流二极管(SBD),采用小型无引脚 SOD-123W 封装,具有低正向压降(典型值仅 0.38 V @ 1 A)、低反向漏电流(< 2 µA @ 25°C)及快速开关特性。其额定参数为:最大反向电压 VR = 30 V,平均整流电流 IO = 1 A(PCB 优化散热条件下),峰值浪涌电流 IFSM = 20 A。

该器件主要适用于对能效、空间和热性能要求严苛的便携式与嵌入式电子系统,典型应用场景包括:  
1. USB供电接口保护——在 USB Type-A/C 端口或移动电源中实现反向电流阻断与高效整流;  
2. DC-DC转换器输出整流——尤其用于同步整流受限的低压大电流(如 3.3 V/5 V 输出)BUCK 转换器后级,提升转换效率;  
3. 电池供电设备电源管理——如蓝牙耳机、TWS 充电盒、可穿戴设备等,降低压降损耗以延长续航;  
4. LDO 前置反向保护——防止电池反接或输入电源意外倒灌,替代传统串联二极管方案,减少功耗与发热;  
5. 工业传感器节点与IoT模块——在空间受限且需高可靠性的低功耗应用中提供紧凑、高效的整流/防反保护功能。

其小尺寸(2.7 × 1.7 × 1.0 mm)、AEC-Q200 兼容(符合汽车级可靠性标准)及无铅RoHS合规特性,亦支持部分车载信息娱乐系统或车身电子中的辅助电源设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323F肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG3010EJ,115-

数据手册

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产品型号

PMEG3010EJ,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

560mV @ 1A

不同 Vr、F时的电容

70pF @ 1V,1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

150µA @ 30V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Rectifiers

产品目录页面

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产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

SOD-323F

其它名称

568-4126-6

包装

Digi-Reel®

反向恢复时间(trr)

-

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-90,SOD-323F

封装/箱体

SOD-323

峰值反向电压

30 V

工作温度-结

150°C (最大)

工作温度范围

+ 150 C

工具箱

/product-detail/zh/3806684/NXPMEGA1-KIT-ND/1841808

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

最大功率耗散

350 mW

最大反向漏泄电流

150 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

9 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

正向电压下降

450 mV

正向连续电流

1 A

热阻

55°C/W Jl

电压-DC反向(Vr)(最大值)

30V

电流-平均整流(Io)

1A(DC)

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

零件号别名

PMEG3010EJ T/R

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