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  • 型号: PMEG3005AEV,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMEG3005AEV,115产品简介:

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PMEG3005AEV,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款超低压降肖特基势垒整流二极管(SBD),采用小型无引脚 SOD-128 封装(DFN1006-2)。其主要特点包括:30 V 反向电压(VRRM)、0.5 A 平均整流电流(IF(AV))、典型正向压降低至 0.34 V(IF = 0.5 A),以及极低反向漏电流(IR < 1 µA @ VR = 25 V),具备优异的能效与热性能。

该器件广泛应用于对空间、功耗和效率要求严苛的便携式及电池供电电子设备中,典型应用场景包括:  
- USB 接口电源路径管理:如 USB Type-C 端口的输入/输出方向切换与反向电流阻断;  
- 电池供电设备的防反接保护与电源轨隔离:例如蓝牙耳机、TWS 耳机、可穿戴设备(智能手表、健康手环)中的电池充电/放电路径控制;  
- DC-DC 转换器次级侧同步整流替代方案(适用于小功率场合);  
- LDO 前置或后置的反向电流抑制电路,防止多电源域间的意外倒灌;  
- IoT 传感器节点、无线模块(如 NB-IoT、BLE 模组)的电源管理子系统,提升待机续航能力。

凭借其超低 VF 和紧凑封装,PMEG3005AEV,115 特别适合在 1–5 V 低压系统中实现高效、可靠、节省 PCB 面积的整流与电源隔离功能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE SCHOTTKY 30V 0.5A SOT666

产品分类

单二极管/整流器

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

产品型号

PMEG3005AEV,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

430mV @ 500mA

不同 Vr、F时的电容

70pF @ 1V,1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

150µA @ 30V

二极管类型

肖特基

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

568-7396-1

包装

剪切带 (CT)

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

工作温度-结

150°C (最大)

标准包装

1

热阻

80°C/W Jl

电压-DC反向(Vr)(最大值)

30V

电流-平均整流(Io)

500mA(DC)

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

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