ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单 > PMEG2010EPA,115
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PMEG2010EPA,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010EPA,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010EPA,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2010EPA,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 20V 1A 3-HUSON(2x2)。您可以下载PMEG2010EPA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG2010EPA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2010EPA,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款低压、低功耗肖特基势垒整流二极管(单管),采用超小型无引线封装 SOD128(也称 FlatPower)。其典型正向压降低至约 0.34 V(IF = 1 A),反向耐压为 20 V,最大平均整流电流达 1 A,具备优异的能效与热性能。 该器件主要面向空间受限、高效率要求的便携式及电池供电类应用场景,典型应用包括: - USB 接口电源路径管理:用于 USB Type-C 或 Micro-USB 输入端的反向电压保护与电源 OR-ing; - 电池充电/供电切换电路:在单节锂离子/锂聚合物电池(标称3.7 V)系统中,实现适配器供电与电池供电之间的自动无缝切换(如 PMIC 电源多路选择); - DC-DC 转换器输出整流:适用于低压输入(如 3.3 V/5 V)的同步整流替代方案,尤其在小功率 DC-DC(如 LDO 前置或负载开关后级)中提升效率; - IoT 传感器节点、可穿戴设备(如智能手表、TWS 耳机)、BLE 模块等:满足低静态功耗、小尺寸与高可靠性需求。 其无铅、符合 RoHS 的环保设计,以及 AEC-Q200 兼容性(部分批次),亦支持部分车规级辅助电子模块(如车载信息娱乐子系统中的低压电源管理)。综上,PMEG2010EPA,115 是高效、紧凑型低压整流与电源保护的理想选型。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A 3HUSON肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECT 20V 1A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010EPA,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2010EPA,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 375mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 175pF @ 1V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1.9mA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | 3-HUSON |
| 其它名称 | 568-7391-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 50ns |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
| 封装/箱体 | SOT-1061 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C (最大) |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 50 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 1900 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 17 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.375 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 12°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single Dual Anode |