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Datasheet下载- 型号： PMEG2005AEV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMEG2005AEV,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2005AEV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2005AEV,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2005AEV,115封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， Diode Schottky 20V 500mA (DC) Surface Mount SOT-666。您可以下载PMEG2005AEV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG2005AEV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2005AEV,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款低压降肖特基势垒整流二极管（SBD），采用超小型无引脚DFN1006-2（SOD-923）封装，尺寸仅1.0 mm × 0.6 mm × 0.45 mm。其典型正向压降低至约0.33 V（IF = 500 mA），反向耐压20 V，最大平均整流电流500 mA，具备优异的能效与热性能。 该器件主要应用于空间受限、功耗敏感的便携式及电池供电电子设备中，典型场景包括： ✅ USB供电路径管理——如手机/平板中的USB Type-C接口输入整流与反向电流阻断； ✅ DC-DC转换器输出整流——在同步或非同步降压电路中作为续流/整流元件，提升转换效率； ✅ 电池充电与保护电路——用于锂电池充电路径中的防反接、电源优先选择（如USB/适配器/电池供电自动切换）； ✅ 可穿戴设备与TWS耳机——满足微型化、低功耗需求，减少发热并延长续航； ✅ IoT传感器节点与低功耗MCU供电系统——为3.3 V或更低电压轨提供高效、紧凑的整流方案。 其高可靠性、AEC-Q200兼容性（部分批次）亦支持部分车载信息娱乐或车身电子辅助应用（如USB充电口）。综上，PMEG2005AEV,115 是面向高集成度、高能效消费类电子的核心整流解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SOT666肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2005AEV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2005AEV,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 390mV @ 500mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 80pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7387-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 200 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.39 V |
| 正向连续电流 | 0.5 A |
| 热阻 | 80°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 500mA（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMEG2005AEV T/R |
