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Datasheet下载- 型号： PMEG2005AEV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMEG2005AEV,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2005AEV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2005AEV,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2005AEV,115封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， Diode Schottky 20V 500mA (DC) Surface Mount SOT-666。您可以下载PMEG2005AEV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG2005AEV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMEG2005AEV,115 是一款高性能的肖特基势垒二极管，属于单整流器二极管类别。该器件采用先进的 TUMD 封装技术，具有低正向压降（典型值为 0.36V @ 1A）和低反向漏电流的特点，能够有效提升能效并减少发热，适用于对功耗敏感的应用场景。 PMEG2005AEV,115 广泛应用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电源管理电路中的防反接、电池保护和负载开关功能。此外，它也适用于 USB 充电端口的电源整流与保护，因其快速开关特性，能有效防止电压倒灌并提高系统可靠性。 在消费类电子产品和工业控制领域，该二极管可用于 DC-DC 转换器的续流或箝位二极管，提升转换效率。其高抗浪涌能力（可达 30A）使其在面对瞬态电流冲击时仍保持稳定，适合用于电源输入端的保护电路。 由于其小型化封装（TUMD），PMEG2005AEV,115 非常适合空间受限的高密度 PCB 设计，同时具备良好的热性能和可靠性，符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，适用于自动化生产流程。 总之，PMEG2005AEV,115 凭借其高效、紧凑和可靠的特点，广泛应用于移动设备、电源适配器、通信模块及各类嵌入式系统中，是现代电子设计中理想的整流与保护元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SOT666肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2005AEV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2005AEV,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 390mV @ 500mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 80pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7387-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 200 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.39 V |
| 正向连续电流 | 0.5 A |
| 热阻 | 80°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 500mA（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMEG2005AEV T/R |
