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- 型号： PMDPB85UPE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PMDPB85UPE,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB85UPE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMDPB85UPE,115价格参考以及NXP SemiconductorsPMDPB85UPE,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMDPB85UPE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PMDPB85UPE,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMDPB85UPE,115 是 NXP USA Inc. 推出的双通道逻辑电平兼容、N沟道+P沟道互补型MOSFET阵列（Dual N+P Channel TrenchMOS™），采用小型无引脚DFN2020-6（SOT-1118）封装。其典型应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电源路径控制，利用其低导通电阻（Rds(on)：N-ch 32 mΩ / P-ch 48 mΩ @ Vgs=4.5V）和低阈值电压（±1.0 V），支持3.3 V或5 V逻辑直接驱动。 • H桥/半桥驱动电路：适用于微型直流电机（如摄像头对焦马达、振动马达）的正反转控制，双通道互补结构简化外围设计，提升能效与响应速度。 • USB Type-C接口保护与切换：用于VBUS开关、CC引脚保护或多路复用控制，满足紧凑布局与低功耗待机需求。 • LED背光与RGB驱动：在中小尺寸LCD/OLED屏中实现独立调光控制，得益于快速开关特性（ton/toff约10–20 ns）和低栅极电荷。 该器件具备ESD防护（HBM ±2 kV）、热增强封装及AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦适用于汽车信息娱乐系统等严苛环境中的次级电源管理。整体以高集成度、小尺寸和低功耗优势，广泛服务于空间受限、电池供电的智能终端。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMDPB85UPE,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 514pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 103 毫欧 @ 1.3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10444-1 |
| 功率-最大值 | 515mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A |
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