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Datasheet下载- 型号： PMDPB65UP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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PMDPB65UP,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB65UP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMDPB65UP,115价格参考以及NXP SemiconductorsPMDPB65UP,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMDPB65UP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PMDPB65UP,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMDPB65UP,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双通道 P 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 LFPAK56 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 42 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、逻辑电平驱动（–1.8 V 阈值）及高可靠性设计。其典型应用场景包括： - 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的负载开关，实现主电源与外设模块的快速启停控制，降低待机功耗； - 电池保护与充放电管理：在单节锂离子/聚合物电池系统中，作为反向电流阻断开关或电池备份路径控制器件，防止电池倒灌； - H桥/半桥驱动辅助电路：配合N沟道MOSFET构成高效DC-DC转换器或电机驱动中的上桥臂同步整流或死区控制； - 工业与IoT终端：适用于空间受限的智能传感器节点、PLC模块或LED驱动板中，提供紧凑、高集成度的双路独立电源切换方案。 该器件支持无铅回流焊，具备AEC-Q101认证（部分批次），亦可用于车规级要求不严苛的车载信息娱乐外围电路。其双MOSFET共源极结构、低热阻封装和±20 V耐压特性，兼顾效率、尺寸与鲁棒性，是中低功率（<2 A连续电流）智能电源分配的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V DUAL SOT1118 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMDPB65UP,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-6496-6 |
| 功率-最大值 | 520mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A |
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