ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 特殊用途 > PMD2001D,115
Datasheet下载- 型号： PMD2001D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PMD2001D,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMD2001D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMD2001D,115价格参考。NXP SemiconductorsPMD2001D,115封装/规格：晶体管 - 特殊用途， Transistor MOSFET Driver NPN, PNP (Emitter Coupled) 40V 600mA Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PMD2001D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMD2001D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMD2001D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双通道、高边智能功率开关（Smart High-Side Switch），属于“晶体管—特殊用途”类别，实际为集成MOSFET、驱动电路、保护与诊断功能的专用功率IC（非传统分立晶体管）。其典型应用场景包括： - 汽车电子系统：广泛用于12V车载电源管理，如车灯控制（前照灯、尾灯、转向灯）、雨刮电机、电动座椅、HVAC风扇等负载的开关与保护；支持AEC-Q100认证，满足汽车级可靠性要求。 - 工业控制：用于PLC输出模块、继电器替代、传感器供电管理等，提供过流、过温、短路及负载开路诊断功能，提升系统安全性与可维护性。 - 智能配电应用：在分布式电源系统中实现精确的负载通断控制、电流监测（通过模拟电流检测输出）和故障上报（如FAULT引脚），便于MCU实时监控。 该器件具备低导通电阻（典型值35mΩ）、宽输入电压范围（5–28V）、内置反向电池保护与EMI优化设计，适用于需高可靠性、诊断能力及空间紧凑的嵌入式功率控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER 6TSOP门驱动器 MOSFET DRIVER TAPE 7 |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型集成电路 - IC |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,NXP Semiconductors PMD2001D,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMD2001D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 上升时间 | 3 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-6495-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | MOSFET 驱动器 |
| 晶体管类型 | NPN，PNP（耦合发射器） |
| 最大功率耗散 | 540 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 激励器数量 | 2 Driver |
| 电压-额定 | 40V |
| 电源电压-最大 | 40 V |
| 电源电流 | 0.1 mA |
| 类型 | Non-Inverting |
| 输出电流 | 1 A |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | PMD2001D T/R |
| 额定电流 | 600mA |
