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  • 型号: PHP27NQ11T,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PHP27NQ11T,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHP27NQ11T,127价格参考。NXP SemiconductorsPHP27NQ11T,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHP27NQ11T,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHP27NQ11T,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 110V 27.6A TO220ABMOSFET TRENCHMOS (TM) FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

27.6 A

Id-连续漏极电流

27.6 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHP27NQ11T,127TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

PHP27NQ11T,127

Pd-PowerDissipation

107 W

Pd-功率耗散

107 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

50 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

110 V

Vds-漏源极击穿电压

110 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

43 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1240pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

50 毫欧 @ 14A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-5760
568-5760-5
568-5760-ND
934058502127
PHP27NQ11T
PHP27NQ11T,127-ND
PHP27NQ11T-ND
PHP27NQ11T127

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

107W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

110V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

27.6A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

PHP27NQ11T

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