Datasheet下载- 型号： PHN203,518
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHN203,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHN203,518价格参考。NXP SemiconductorsPHN203,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHN203,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHN203,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHN203,518 是 NXP USA Inc. 推出的一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 SOT-666 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 2.4 Ω @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷和紧凑集成设计。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 背光驱动或传感器供电控制，利用其双路独立控制与低功耗特性实现高效、小型化电源分配。 2. 接口电平转换与信号切换：在 I²C、GPIO 或其他低压数字总线中，用作双向电平移位器或信号门控开关（配合上拉电阻），支持 1.8V–5V 系统间通信。 3. 电机/执行器微驱动：适用于小功率直流有刷电机（如微型振动马达、镜头对焦机构）的 H 桥半桥驱动或方向控制，需外接互补器件配合使用。 4. 电池供电系统的保护与冗余切换：例如在双电池备份、USB Power Delivery（PD）路径管理中，实现充放电路径隔离或故障冗余切换。 该器件不适用于大电流（连续ID仅370mA）、高电压（Vds=20V）或高频硬开关场景；设计时需注意热管理及PCB散热焊盘布局。广泛用于对尺寸、成本与可靠性要求严苛的消费类与工业嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHN203,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 934055442518 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.3A |
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