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产品简介:
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PHD3055E,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单个封装),采用 SOT-223 封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = 10 V,典型值)、高阈值电压兼容性(VGS(th) 1–2.5 V)及优良的开关特性。其典型应用场景包括: • 低压直流电源管理:适用于 5–24 V 系统中的负载开关、电源路径控制或电池供电设备的电源启停控制(如便携式仪器、IoT 节点); • LED 驱动与背光控制:可作为恒流/恒压驱动电路中的开关元件,用于中小功率 LED 照明或 LCD 背光调光; • 电机驱动辅助开关:在小型直流有刷电机(如风扇、微型泵)的 H 桥或单向驱动中用作高边/低边开关(需配合驱动电路); • 工业与家电控制模块:用于 PLC 输出级、继电器替代、电磁阀驱动等中等电流(ID ≤ 2.5 A 连续,脉冲可达 6 A)的固态开关应用; • 嵌入式系统接口保护:在 MCU GPIO 直接驱动场景下,因支持逻辑电平(3.3 V/5 V TTL 兼容),可简化驱动设计,降低外围器件成本。 该器件具备良好的热性能(SOT-223 封装利于散热)、ESD 保护(HBM ≥ 2 kV)及可靠性,适用于空间受限、对成本与效率有平衡要求的中低功率开关场合。不推荐用于高频(>1 MHz)或大电流(>3 A 持续)硬开关环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAKMOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHD3055E,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHD3055E,118 |
| Pd-PowerDissipation | 33 W |
| Pd-功率耗散 | 33 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 5.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 934054728118 |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 33W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 120 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 44 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.3A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 PHD3055E |