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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB29N08T,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB29N08T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB29N08T,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHB29N08T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHB29N08T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHB29N08T,118 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,具有80V漏源电压(VDS)、29A连续漏极电流(ID,Tc=25°C)、低导通电阻(RDS(on)典型值仅22 mΩ @ VGS=10V),具备良好的开关性能与热稳定性。 该器件主要面向中高功率、中频开关应用,典型应用场景包括: ✅ DC-DC电源转换:如车载充电器(OBC)、工业电源中的同步整流与主开关管; ✅ 电机驱动:用于中小功率直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动单元,尤其适用于12V/24V/48V系统(如电动工具、智能家电、风机泵类); ✅ LED照明驱动:在恒流降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)LED驱动电路中作为主控开关; ✅ 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:需确认具体批次认证状态),适用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗驱动、冷却风扇控制等非安全关键车载负载开关; ✅ 通用工业控制:PLC输出级、继电器替代、电热控制及电源保护电路中的固态开关。 其低RDS(on)和成熟封装便于散热设计,配合栅极驱动IC可实现高效、紧凑的功率级方案。注意实际应用中需合理设计驱动电压(推荐10V以上以确保充分导通)、PCB铜箔散热及过压/过流保护措施。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 27A D2PAKMOSFET TAPE13 MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHB29N08T,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHB29N08T,118 |
| Pd-PowerDissipation | 88 W |
| Pd-功率耗散 | 88 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 96 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 96 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 14A,11V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-2190-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 88W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 96 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 27 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 27A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 PHB29N08T |