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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PHB222NQ04LT,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB222NQ04LT,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB222NQ04LT,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB222NQ04LT,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHB222NQ04LT,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB222NQ04LT,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHB222NQ04LT,118 是 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 2.2 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=120A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 汽车电子：符合 AEC-Q101 认证，广泛用于车身控制模块（BCM）、LED 车灯驱动、电动座椅/车窗电机控制、DC-DC 转换器（如 12V/48V 系统）等需高可靠性与高温稳定性的车载电源开关场景。 - 工业电源与电机驱动：适用于伺服驱动器、BLDC 电机控制器、PLC 输出级及 UPS 逆变器中的高效同步整流或半桥/全桥开关单元，得益于其快速开关特性（tr/tf 约 10 ns）与低开关损耗。 - 服务器与通信电源：在 48V 输入的 POL（负载点）转换器、VRM 模块中作为主开关管，支持高频（>500 kHz）工作，提升电源效率与功率密度。 - 电池管理系统（BMS）：用于智能电池包的充放电保护电路（如主动均衡开关、主回路断路），具备强雪崩耐量（UIS 额定）和稳健的短路耐受能力。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th) 低至 1.0–2.2 V），可直接由 MCU 或栅极驱动器控制，简化外围设计；LFPAK 封装提供优异散热性与 PCB 可靠性，适合高功率密度布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHB222NQ04LT,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 93.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-2189-6 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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