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Datasheet下载- 型号： PHB20N06T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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PHB20N06T,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB20N06T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PHB20N06T,118价格参考以及NXP SemiconductorsPHB20N06T,118封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PHB20N06T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PHB20N06T,118详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PHB20N06T,118是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220AB封装，具有20A连续漏极电流（ID）、60V漏源耐压（VDS）及典型导通电阻RDS(on)低至35mΩ（VGS=10V），支持4.5V栅极驱动（逻辑电平兼容），开关速度快、功耗低。 其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：用作同步整流器或主开关管，适用于中功率AC/DC适配器、工业电源模块； - 电机控制：驱动中小功率直流有刷电机或步进电机的H桥/半桥电路（如电动工具、家用电器、风扇调速）； - 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控设备中实现板级电源的智能启停、过流保护及热插拔控制； - 照明驱动：用于LED恒流驱动电路或调光控制中的PWM开关元件； - 电池管理系统（BMS）：作为充放电路径的主控MOSFET，配合保护IC实现过流/短路保护。 该器件具备AEC-Q101认证（汽车级可靠性），亦可用于车载辅助系统（如车窗升降、座椅调节等非安全关键应用）。其高雪崩耐受能力与稳健的ESD防护（HBM 2kV）进一步提升了在工业环境中的可靠性。需注意散热设计——TO-220封装建议配合适当散热片以确保长期稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHB20N06T,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 483pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5938-1 |
| 功率-最大值 | 62W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20.3A （Tc） |
