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PESD5V0V1BL,315产品简介:
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PESD5V0V1BL,315 是 NXP USA Inc. 推出的超低电容(典型值 0.9 pF)、单线双向 TVS(瞬态电压抑制)二极管,专为高速数据接口的静电放电(ESD)防护设计。其主要应用场景包括:智能手机、平板电脑及可穿戴设备中的高速信号线路保护,如 USB 2.0、HDMI、MIPI D-PHY(摄像头/显示屏接口)、SD卡接口、SIM卡槽等。凭借 5.0 V 的工作电压(VRWM)和 ±8 kV(接触放电,IEC 61000-4-2 Level 4)的高 ESD 防护能力,它可在不干扰信号完整性前提下,有效钳位瞬态过压,防止后端精密 IC(如 SoC、图像传感器、显示驱动器)因静电损伤而失效。该器件采用超小型无引脚封装 SOD882B(1.0 × 0.6 × 0.5 mm),适合空间受限的便携式终端;结电容极低,确保对高频信号(如 480 Mbps USB 2.0)影响极小;响应时间小于 1 ns,可快速泄放 ESD 脉冲能量。广泛应用于消费电子、物联网终端及工业手持设备中对可靠性与信号保真度要求严苛的接口防护环节。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 12.5VC SOD882ESD 抑制器 DIODE BI ESD PROTECT |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NXP Semiconductors PESD5V0V1BL,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PESD5V0V1BL,315 |
| PCN封装 | |
| 不同频率时的电容 | 11pF @ 1MHz |
| 产品种类 | ESD 抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-882 |
| 其它名称 | 568-7359-1 |
| 击穿电压 | 6.8 V |
| 功率-峰值脉冲 | 45W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-882 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TA) |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 5.8V |
| 电压-反向关态(典型值) | 5V(最小值) |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 12.5V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 4.8A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | Gull Wing Leads |
| 类型 | 齐纳 |