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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PESD5V0U5BV,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD5V0U5BV,115价格参考¥0.55-¥0.66。NXP SemiconductorsPESD5V0U5BV,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PESD5V0U5BV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PESD5V0U5BV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PESD5V0U5BV,115 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的超低电容TVS(瞬态电压抑制)二极管,专为高速数据接口的静电放电(ESD)防护设计。其典型应用场景包括:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的USB 2.0/3.0、HDMI、MIPI D-PHY/LVDS、SD卡接口、耳机插孔及Type-C连接器等高速信号线的ESD保护。该器件具有仅0.5pF的超低结电容(典型值),可最大限度减少信号衰减与失真,保障高速数据传输完整性;同时提供±15kV接触放电/±20kV空气放电IEC 61000-4-2 Level 4防护能力,满足严苛的工业与消费类电子EMC要求。其5.0V工作电压(VRWM)与6.5V钳位电压(VCL@Ipp=1A)适配3.3V/5V逻辑系统,支持双向保护,采用超小型SOT666(SOT-666)封装(1.6×1.6×0.55mm),节省PCB空间,适用于高密度布局。广泛用于移动终端、可穿戴设备、车载信息娱乐系统(IVI)中对信号完整性与ESD鲁棒性双重要求的接口防护。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM SOT666TVS二极管阵列 Diode TVS Quint Bi-Dir 5V 6-Pin |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PESD5V0U5BV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PESD5V0U5BV,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | 2.9pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7356-1 |
| 击穿电压 | 6.5 V |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 5 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 尺寸 | 1.3 mm W x 1.7 mm L x 0.6 mm H |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 5 V |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Bidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 5.5V |
| 电压-反向关态(典型值) | 5V(最小值) |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | - |
| 电容 | 2.9 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PESD5V0U5B |
| 通道 | 5 Channels |