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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PESD3V3S4UF,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD3V3S4UF,115价格参考¥0.53-¥0.53。NXP SemiconductorsPESD3V3S4UF,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PESD3V3S4UF,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PESD3V3S4UF,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PESD3V3S4UF,115 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的超低电容四通道TVS二极管阵列,专为高速数据接口的静电放电(ESD)防护设计。其典型应用场景包括:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的USB 2.0/3.0、HDMI、MIPI D-PHY/LVDS、SD卡接口、耳机插孔及触摸屏排线等高速信号线路。该器件每通道电容低至0.6 pF(典型值),确保对信号完整性影响极小,支持高达数百MHz的传输速率;同时提供±15 kV接触放电(IEC 61000-4-2 Level 4)的强ESD防护能力,有效防止人体静电或系统瞬态干扰导致的芯片损坏。采用微型DFN1713-6(1.7 mm × 1.3 mm)封装,节省PCB空间,适用于高密度小型化设计。广泛用于消费电子、工业人机界面(HMI)、车载信息娱乐系统(IVI)中需兼顾高速性能与高可靠性ESD防护的关键信号路径。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 3.3VWM 11VC 6XSONTVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PESD3V3S4UF,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PESD3V3S4UF,115 |
| PCN封装 | |
| 不同频率时的电容 | 110pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | 6-XSON,SOT886(1.45x1) |
| 其它名称 | 568-7340-6 |
| 击穿电压 | 5.6 V |
| 功率-峰值脉冲 | 110W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 4 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-XFDFN |
| 封装/箱体 | XSON-6 |
| 尺寸 | 1.05(Max) mm W x 1.5(Max) mm L x 0.46 mm (Max) H |
| 峰值浪涌电流 | 10 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 110 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TA) |
| 工作电压 | 3.3 V |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 105 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 5.32V |
| 电压-反向关态(典型值) | 3.3V (最小值) |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 11V |
| 电容 | 110 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 10A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PESD3V3S4UF |
| 通道 | 4 Channels |
| 钳位电压 | 11 V |
| 零件号别名 | PESD3V3S4UF T/R |